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Détails sur le produit:
Conditions de paiement et expédition:
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| Produit: | Rendement élevé Gd3Al2Ga3O12 d'Efficiencyht d'émission légère : Ce (GAGG : Ce) Crystal Wafer | Formule chimique: | Gd3Al2Ga3O12 |
|---|---|---|---|
| Densité: | 6.63g/cm3 | Tolérance de taille: | ±0.05mm |
| Qualité extérieure: | 10/5 | Ouverture claire: | >90% |
| Charmfer: | <0> | Application: | ANIMAL FAMILIER, SPECT, CT. |
| Surligner: | Cristaux de Scintilation de la CE de GAGG,Cristaux de Scintilation de la CE Gd3Al2Ga3O12,Haut ce de l'émission légère GAGG |
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Rendement élevé Gd3Al2Ga3O12 d'Efficiencyht d'émission légère : Ce (GAGG : Ce) Crystal Wafer
GAGG (ce) (ce : GAGG, Gd3Al2Ga3O12) est nouveau scintillator pour la détection simple d'électron de la tomodensitométrie (SPECT), des rayons gamma et de Compton d'émission de photon. GAGG enduits par cérium ont beaucoup de propriétés qui le rendent approprié aux applications gamma de spectroscopie et d'imagerie médicale. Une crête élevée environ 520 nanomètre de rendement et d'émission de photon rend le matériel bien adapté pour être lecture par des détecteurs de photomultiplicateur de silicium.
Haute densité
Rendement léger élevé
Temps de délabrement rapide
Chimiquement inerte
Sensibilité élevée
Résolution de haute énergie
Principaux avantages :
Applications principales :
Propriétés principales :
| Formule chimique | ₂ de ₁ du ₃ O du ₂ GA d'Al de ₃ de Gd |
| Nombre atomique (efficace) | 54,4 |
| Méthode de croissance | Czochralski |
| Densité | 6.63g/cm3 |
| Dureté de Mohs | 8 |
| Point de fusion | 1850℃ |
| Coefficients de dilatation thermique. | Tba X ⁶ de 10 ‾ |
Caractéristiques :
| Chanfrein | <0> |
| Tolérance d'orientation | < 0=""> |
| Tolérance d'épaisseur/diamètre | ±0.05 millimètre |
| Ouverture claire | >90% |
| Déformation de front des ondes | diamètre 70mm |
| Qualité extérieure | 10/5 (éraflure/fouille) |
| Parallèle | 10 ″ |
| Perpendiculaire | 5 ′ |
Personne à contacter: Ms. Wu
Téléphone: 86-18405657612
Télécopieur: 86-0551-63840588
