Détails sur le produit:
Conditions de paiement et expédition:
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Matériel: | La3Ga5SiO14 | Taille: | 4x4x50mm |
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Type: | barre en cristal | Revêtement: | Revêtement de l'Au coating/AR |
méthode de croissance: | Czochralski | Point de fusion: | 1470℃ |
Garantie :: | 1 an | ||
Surligner: | Cristal de lgs de revêtement d'Au,Cristal de La3Ga5SiO14 LGS,Monocristal La3Ga5SiO14 |
4mm x 4mm x 50mm LGS Crystal With Au Coating Bar simple
On a rapporté que le cristal de Langasite (La3Ga5SiO14, LGS), appartenant au groupe d'espace P321, le groupe 32 de point, promet de nouveaux matériaux piézoélectriques pour la fabrication de l'onde acoustique extérieure (SCIE) et des dispositifs en vrac de l'onde acoustique (BAW). Les dispositifs ont fait du cristal de langasite ont pu être employés à température élevée jusqu'à 900℃ en raison de sa stabilité thermique élevée.
La gaufrette du LGS de Crystro est développée par la méthode de Czochralski. Portée maximum 60mm de diamètre. Crytsro peut taille faite sur commande et la direction de coupure accordding aux besoins du client, notre taille standard comprenant la barre de cristal de LGS : 3x3x20mm, 4x4x50mm, 5x5x45mm… Gaufrette en cristal de LGS : D2inchx0.5mm, D50x0.5mm, cristal piézoélectrique de 40x40x0.5mm… comprenant LGS, LN, le LT, BBO, DKDP sont les produits principaux de CRYSTRO.
Propriétés principales :
Crystal Structure | système de rigonal, a= 8,1783 du groupe 33 C = 5,1014 |
Méthode de croissance | Czochralski |
Dureté | 6,6 Moh |
Densité | 5,754 g/cm3 |
Point de fonte | o 1470 C (point de transition de phase : NON-DÉTERMINÉ) |
Dilatation thermique (x10-6/OC) | α 11 : 5,10 α 33 : 3,61 |
Vitesse sonique, SCIE | 2400 (m/sec) |
Constante de fréquence, BAW | 1380 (kHz/mm) |
Accouplement piézoélectrique | K2 (%) BAW : 2,21 SCIE : 0,3 |
Inclusions | N0 |
Caractéristiques :
Seuil de dommages élevé
Propriétés physiques et chimiques stables
Coefficient de accouplement électromécanique élevé (3 fois de quartz)
Basse série de résistance équivalente
Applications :
Q-commutateur électrooptique
Dispositif de SCIE
Dispositif de BAW
Capteur
Taux élevé de répétition de puissance élevée tout le laser à état solide
Laser de changement de température de ciel et terre
DOCUMENT :
LGS Cryatal.pdf
Personne à contacter: Ms. Wu
Téléphone: 86-18405657612
Télécopieur: 86-0551-63840588